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单晶硅标样放大倍数标样用于SEM和LM放大倍数和成像畸变的校正。在5mmX5mm, 厚度为675 μm P型掺杂100晶向单晶硅表面通过电子束曝光和蚀刻技术形成10 μm见方的网状图案。格深300nm,格间线宽为1.9 μm。每隔500 μm有一稍宽的分隔线便于LM检测。
单晶硅标样放大倍数标样用于SEM和LM放大倍数和成像畸变的校正。在5mmX5mm, 厚度为675 μm P型掺杂100晶向单晶硅表面通过电子束曝光和蚀刻技术形成10 μm见方的网状图案。格深300nm,格间线宽为1.9 μm。每隔500 μm有一稍宽的分隔线便于LM检测。
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